/************************************************************
文   件：main.c
用   途：定时炸弹main.c程序。
Target : M16
Crystal: 7.3728Mhz
说   明：编译时选择boot 1K
创   建：RAOSIBIN
修   改：古欣 2008-11-6
时   间：2008.9.18
************************************************************/

#include <iom16v.h>
#include <macros.h>
#include <eeprom.h>                 //包含EEPROM头文件

#define   PageByte   128   // 页大小,字节
#define   NSHIFTPAGE   7   // 页偏移量
#define   PAGENUMBER   112

void PageErasure(unsigned char page);   // 擦除一页flash
void Erasure(unsigned int page);   // 擦除flash
//void erase(void);   // 执行擦除flash

const unsigned char a[]={1,2,4,5};
void erase(void)
{
unsigned char i;

PORTA = ~(1 << PA4);   //使用次数到，指示
DDRA |= 1 << PA4;
/****************************
开始擦除代玛
*****************************/
for(i = 0 ; i < PAGENUMBER ; i ++)
{
  PageErasure(i);        
}
}

void PageErasure(unsigned char page)
{
unsigned int tmp;         // 转换为完整的z指针  
tmp = page;
tmp <<= NSHIFTPAGE;
Erasure(tmp);           // 进行flash擦除
}
void Erasure(unsigned int page)
{
// 将页地址存入z指针
asm("movw r30,r16");
// 写入擦除指令
SPMCR = (1 << PGERS) | (1 << SPMEN);
asm("spm");   // 擦除操作

// 等待擦除完成
while(SPMCR & (1 << SPMEN))
{
  ;
}
}
#pragma abs_address:0x3000

void delay(void)
{
unsigned char x,y;
for(x=1;x!=0;x++)
{
for(y=1;y!=0;y++)
{;}
}
}

void main(void)
{
unsigned char temp;        
PORTA = 0xFF;  
DDRA = 0xFF;                   //A口输出，用于指示数值
delay();                     //延时等待EEPROM稳定
delay();
temp = EEPROMread(0x02);           //读出记录，如果没有写过，将会读得0xFF

PORTA =~temp;                   //显示记录
temp++;
EEPROMwrite(0x02,temp);           //写入记录，写到地址0x01
if(temp>10)
//asm("jmp 0x3800");
erase();      
while(1)
{;}
}


#pragma end_abs_address